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多種開關(guān)電源MOS管驅(qū)動(dòng)電路詳細(xì)解析
在使用MOS管設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為正式的產(chǎn)品設(shè)計(jì)也是不允許的。 [查看更多] -
全面解析MOS管特性、驅(qū)動(dòng)和應(yīng)用電路
在使用MOS管設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)考慮MOS管的導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為正式的產(chǎn)品設(shè)計(jì)也是不允許的。 [查看更多] -
MOS器件的發(fā)展與面臨的挑戰(zhàn)
隨著集成電路工藝制程技術(shù)的不斷發(fā)展，為了提高集成電路的集成度，同時(shí)提升器件的工作速度和降低它的功耗，MOS器件的特征尺寸不斷縮小，MOS器件面臨一系列的挑戰(zhàn)。例如短溝道效應(yīng)(ShortChannelEffect-SCE)，熱載流子注入效應(yīng)(HotCarrierInject-HCI)和柵氧化層漏電等問(wèn)題。為了克服這些挑戰(zhàn)，半導(dǎo)體業(yè)界不斷開發(fā)出一系列的先進(jìn)工藝技術(shù)，例如多晶硅柵、源漏離子注入自對(duì)準(zhǔn)、LDD離子注入、polycide、Salicide、SRD、應(yīng)變硅和HKMG技術(shù)。另外，晶體管也從MOSFET演變?yōu)镕D-SOI、BulkFinFET和… [查看更多]
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