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振蕩器和諧振器的分類以及區(qū)別
對(duì)于剛進(jìn)入晶振行業(yè)的人來(lái)說(shuō),晶振的概念一定是讓人崩潰的。其實(shí),晶振是一個(gè)很籠統(tǒng)行業(yè)概念,不容易讓大家理解。今天揚(yáng)興晶振就來(lái)給大家來(lái)細(xì)分和區(qū)分下! [查看更多] -
晶振頻率出現(xiàn)誤差原因及有效解決方法
石英晶振元件自身存在不同的精度、誤差。石英晶振的溫度特性也就是頻率隨溫度變化會(huì)出現(xiàn)偏差的現(xiàn)象。每一顆晶振元件都是有自身的溫度范圍的,所以采購(gòu)商在購(gòu)買(mǎi)晶振的時(shí)候先搞清楚它適合在多高的溫度下應(yīng)用,如果你把耐底溫的晶振放到高溫下應(yīng)用就等于在自我毀滅,即使當(dāng)時(shí)能用,也會(huì)發(fā)生誤差,而且壽命也是很短的,這就是溫度的帶來(lái)的危害性。 [查看更多] -
怎么判斷晶振的優(yōu)劣?
晶振的定義:晶振一般被稱為晶體諧振器,是一種用電損耗很小的石英晶體,經(jīng)過(guò)精密的切割磨削并鍍上電極焊上引線做成的一種機(jī)電器件。表現(xiàn)形式分為兩種:一種是通電后產(chǎn)生機(jī)械振蕩;另一種通過(guò)給他機(jī)械力的作用,它會(huì)自己產(chǎn)生電,這種特性行業(yè)內(nèi)一般叫機(jī)電效應(yīng)。其振蕩的頻率與它們的形狀、材料、切割方向密切相關(guān)。由于石英晶體化學(xué)性能非常穩(wěn)定,熱膨脹系數(shù)非常小,其振蕩頻率也非常穩(wěn)定,由于控制幾何尺寸可以做到很精密,因此,其諧振頻率也很準(zhǔn)確。晶振的優(yōu)劣區(qū)分:對(duì)于很多朋友來(lái)… [查看更多] -
石英晶體諧振器和陶瓷諧振器區(qū)別
晶體諧振器和陶瓷諧振器功能、工作原理都一樣,主要區(qū)別在于所用的材料不同。里面的振子和外殼不同,陶瓷諧振器里面的振子是陶瓷的,晶體諧振器里面的振子是水晶的。因此被稱晶體諧振器和陶瓷諧振器。 [查看更多] -
如何在PCB布局中保持晶體振蕩器的穩(wěn)定
在人類歷史的大部分時(shí)間里,我們依靠天文計(jì)時(shí)來(lái)計(jì)劃我們的生活?,F(xiàn)在我們擁有復(fù)雜的時(shí)鐘,可以幫助我們管理日常生活。隨著現(xiàn)代生活變得越來(lái)越瘋狂,我們需要追蹤到幾分之一秒,而集成電路PCB板上的晶體振蕩器合理布局或許可能實(shí)現(xiàn)。 [查看更多] -
多種開(kāi)關(guān)電源MOS管驅(qū)動(dòng)電路詳細(xì)解析
在使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候,大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻,最大電壓等,最大電流等,也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的,但并不是優(yōu)秀的,作為正式的產(chǎn)品設(shè)計(jì)也是不允許的。 [查看更多] -
全面解析MOS管特性、驅(qū)動(dòng)和應(yīng)用電路
在使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候,大部分人都會(huì)考慮MOS管的導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流等,也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的,但并不是優(yōu)秀的,作為正式的產(chǎn)品設(shè)計(jì)也是不允許的。 [查看更多] -
分析MOS管正確選擇的步驟
正確選擇MOS管是很重要的一個(gè)環(huán)節(jié),MOS管選擇不好有可能影響到整個(gè)電路的效率和成本,了解不同的MOS管部件的細(xì)微差別及不同開(kāi)關(guān)電路中的應(yīng)力能夠幫助工程師避免諸多問(wèn)題,下面由東莞融創(chuàng)科技為您分析MOS管的正確選擇方法。 [查看更多] -
MOS器件的發(fā)展與面臨的挑戰(zhàn)
隨著集成電路工藝制程技術(shù)的不斷發(fā)展,為了提高集成電路的集成度,同時(shí)提升器件的工作速度和降低它的功耗,MOS器件的特征尺寸不斷縮小,MOS器件面臨一系列的挑戰(zhàn)。例如短溝道效應(yīng)(ShortChannelEffect-SCE),熱載流子注入效應(yīng)(HotCarrierInject-HCI)和柵氧化層漏電等問(wèn)題。為了克服這些挑戰(zhàn),半導(dǎo)體業(yè)界不斷開(kāi)發(fā)出一系列的先進(jìn)工藝技術(shù),例如多晶硅柵、源漏離子注入自對(duì)準(zhǔn)、LDD離子注入、polycide、Salicide、SRD、應(yīng)變硅和HKMG技術(shù)。另外,晶體管也從MOSFET演變?yōu)镕D-SOI、BulkFinFET和… [查看更多]
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